Name: SQJ960EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ960EP-T1_GE3TR-ND
Price: 100.55 THB
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์
กลับ
ผู้ผลิต
กลับ
แหล่งข้อมูล
กลับ
กลับ
กลับ
- โปรแกรมและการบริการ
- ระบบอัตโนมัติและการควบคุม
- บริการออกแบบและบูรณาการ
- โซลูชั่นดิจิทัล
- โซลูชัน IoT
- การติดตามสินค้า
- บริการผลิตภัณฑ์
กลับ
- การซื้อ
- เครื่องมือ
- My Lists
- ใบเสนอราคา
- ผลิตภัณฑ์
- ผู้ผลิต
ขอใบเสนอราคา

SQJ960EP-T1_GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SQJ960EP-T1_GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SQJ960EP-T1_GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SQJ960EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SQJ960EP-T1_GE3
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	23 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 60V 8A 34W ติดบนพื้นผิว PowerPAK® SO-8 คู่
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SQJ960EP-T1_GE3 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
ชุด	TrenchFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
การตั้งค่า	2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติของ FET	เกทระดับลอจิก
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	8A
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	20nC @ 10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	735pF @ 25V
พลังงาน - สูงสุด	34W
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	PowerPAK® SO-8 คู่
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PowerPAK® SO-8 คู่
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SQJ960

จำนวน	ราคาต่อหน่วย	ต่อราคา
1	฿100.55000	฿100.55
10	฿65.04800	฿650.48
100	฿44.85790	฿4,485.79
500	฿36.23158	฿18,115.79
1,000	฿34.66002	฿34,660.02

จำนวน	ราคาต่อหน่วย	ต่อราคา
3,000	฿29.94135	฿89,824.05
6,000	฿28.31704	฿169,902.24

SQJ960EP-T1_GE3

ติดตามเรา

ข้อมูล

การติดต่อและการสนับสนุน