Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND
Price: 159.71 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® 8 x 8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SQJQ112E-T1_GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) 742-SQJQ112E-T1_GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SQJQ112E-T1_GE3
คำอธิบาย	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	39 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) ติดบนพื้นผิว PowerPAK® 8 x 8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SQJQ112E-T1_GE3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 272 nC @ 10 V
ชุด TrenchFET® Gen IV	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 15945 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 600W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 296A (Tc)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PowerPAK® 8 x 8
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2.53mOhm @ 20A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส PowerPAK® 8 x 8