Name: SQM90142E_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM90142E_GE3TR-ND
Price: 135.14 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 200 V 95A (Tc) 375W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

SQM90142E_GE3
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SQM90142E_GE3TR-ND - เทปและม้วน (TR) SQM90142E_GE3CT-ND - เทปตัดขาย (CT) SQM90142E_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Vishay Siliconix
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SQM90142E_GE3
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 200V 95A TO263
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	23 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 200 V 95A (Tc) 375W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SQM90142E_GE3 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 85 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (สูงสุด) ±20V
ชุด TrenchFET®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4200 pF @ 25 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 375W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 200 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 95A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-263 (D2PAK)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 15.3mOhm @ 20A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน SQM90142
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.5V @ 250µA