TO263-7
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

C3M0120065J

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
1697-C3M0120065J-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
C3M0120065J
คำอธิบาย
650V 120M SIC MOSFET
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 650 V 21A (Tc) 86W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263-7
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD
C3M0120065J รุ่น
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
บรรจุภัณฑ์
ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์
เลิกผลิต
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
15V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
157mOhm @ 6.76A, 15V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
3.6V @ 1.86mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
26 nC @ 15 V
Vgs (สูงสุด)
+19V, -8V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
640 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
86W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°C ~ 175°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
TO-263-7
บรรจุภัณฑ์ / เคส
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

ในสต็อก: 1,344
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
สินค้านี้ไม่มีการผลิตแล้วและจะไม่มีการสต็อกเมื่อสินค้าที่มีอยู่หมดไป ดู สินค้าที่ใช้แทนกันได้
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ท่อ
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿306.80000฿306.80
10฿238.38800฿2,383.88
50฿211.04860฿10,552.43
100฿202.57580฿20,257.58
250฿193.63372฿48,408.43
500฿188.24520฿94,122.60
1,000฿183.80895฿183,808.95
แพ็กเกจมาตรฐานผู้ผลิต
หมายเหตุ: เนื่องจากบริการเพิ่มมูลค่าของ DigiKey ประเภทของบรรจุภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงเมื่อซื้อสินค้าในปริมาณที่ต่ำกว่าแพ็คเกจมาตรฐาน