XP2318GEN YAGEO XSEMI | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

XP2318GEN
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5048-XP2318GENTR-ND - เทปและม้วน (TR) 5048-XP2318GENCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 5048-XP2318GENDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	YAGEO XSEMI
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	XP2318GEN
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 500mA (Ta) 700mW (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	YAGEO XSEMI
ชุด	XP2318
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	2.5V, 4V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 500mA, 4V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.3V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	1.8 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±16V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	48 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	700mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-23
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3