XP2615GEY YAGEO XSEMI | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

XP2615GEY
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5048-XP2615GEYTR-ND - เทปและม้วน (TR) 5048-XP2615GEYCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 5048-XP2615GEYDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	YAGEO XSEMI
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	XP2615GEY
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 30V 5A SOT26
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 5A (Ta) 2W (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-26
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	YAGEO XSEMI
ชุด	XP2615
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	5A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	52mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	11.2 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1330 pF @ 15 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-26
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOT-23-6