XP2N030EN YAGEO XSEMI | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

XP2N030EN
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5048-XP2N030ENTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	YAGEO XSEMI
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	XP2N030EN
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 20V 5.3A SOT23
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 5.3A (Ta) 1.25W (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23S

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	YAGEO XSEMI
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	5.3A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	2.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	30mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.25V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±12V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	832 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1.25W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SOT-23S
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3