Name: XP3N2R8AMT
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP3N2R8AMTTR-ND
Price: 32.33 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 32.8A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PMPAK (5x6)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

XP3N2R8AMT
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5048-XP3N2R8AMTTR-ND - เทปและม้วน (TR) 5048-XP3N2R8AMTCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 5048-XP3N2R8AMTDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	YAGEO XSEMI
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	XP3N2R8AMT
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 32.8A 60A PMPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 32.8A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PMPAK (5x6)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V
Mfr YAGEO XSEMI	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
ชุด XP3N2R8A	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4080 pF @ 15 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 5W (Ta), 50W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 32.8A (Ta), 60A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-PMPAK (5x6)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerLDFN