XP3NA3R4AMT YAGEO XSEMI | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

XP3NA3R4AMT
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5048-XP3NA3R4AMTTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	YAGEO XSEMI
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	XP3NA3R4AMT
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 5W (Ta), 31.2W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PMPAK (5x6)

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	YAGEO XSEMI
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	29A (Ta), 73A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.3V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	60.8 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2576 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	5W (Ta), 31.2W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-PMPAK (5x6)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerLDFN