XP4P052AH YAGEO XSEMI | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

XP4P052AH
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5048-XP4P052AHTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	YAGEO XSEMI
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	XP4P052AH
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 40V 17A TO252
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 40 V 17A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	YAGEO XSEMI
ชุด	XP4P052A
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	17A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	52mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	16 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1600 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2W (Ta), 25W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-252
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63