XP9565GEM YAGEO XSEMI | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

XP9565GEM
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	5048-XP9565GEMTR-ND - เทปและม้วน (TR) 5048-XP9565GEMCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 5048-XP9565GEMDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	YAGEO XSEMI
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	XP9565GEM
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 40V 6.5A 8SO
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 40 V 6.5A (Ta) 2.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SO
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	YAGEO XSEMI
ชุด	XP9565
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	6.5A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	38mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±16V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1570 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SO
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)