Silicon Carbide MOSFET

Silicon Carbide MOSFET

STMicroelectronics

Unlike other SiC transistors like BJTs and JFETs, the SiC MOSFET is very easy to drive, similar to standard MOSFETs. A simple drive circuit reduces the number of components and complexity of the final design as compared to non-MOSFET SiC solutions.

Related Parts

รูปภาพManufacturer Part Numberคำอธิบายเดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°CAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247SCT30N120SICFET N-CH 1200V 40A HIP2471200 V40A (Tc)290 - Immediate$663.33ดูรายละเอียด
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247SCT20N120SICFET N-CH 1200V 20A HIP2471200 V20A (Tc)584 - Immediate$398.13ดูรายละเอียด
PTM Published on: 2016-05-06

Related Product Highlight

STPOWER SiC MOSFETs STMicroelectronics' silicon-carbide power MOSFETs offer higher levels of efficiency, consistency, and reliability for energy related applications.
Power MOSFETs STMicroelectronics' power MOSFETs are designed for applications which include switch-mode power supplies, lighting, DC-DC converters, motor control, and automotive.

Related Articles and Blogs

สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้างกำลังพลิกโฉมอุตสาหกรรมการขนส่ง อุตสาหกรรมการขนส่งทั้งหมดกำลังอยู่ระหว่างการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ด้วยโซลูชั่นสำหรับรถยนต์ไฟฟ้าและรถยนต์ไฮบริด และการขนส่งมวลชนที่สะอาดขึ้น
สารกึ่งตัวนําช่องว่างแถบพลังงานกว้างในการใช้งานด้านการบินและอวกาศและดาวเทียม สารกึ่งตัวนําช่องว่างแถบพลังงานกว้างมีข้อดีหลายประการในการแปลงพลังงาน เช่น ความหนาแน่นและประสิทธิภาพของพลังงานที่เพิ่มขึ้น และลดขนาดและน้ำหนักของระบบ
Working with SiC MOSFETS: Challenges and Design Recommendations SiC MOSFETs bring enormous benefits but only if designers are aware of design obstacles such as parasitics, ringing, and conduction and switching losses.

Related Product Training Modules

ST MOSFETs To give users a quick overview of basic MOSFET parameters and fundamentals.