Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ไดโอด Schottky Barrier TRSxxx65H

ไดโอดกั้นชอตต์กี้ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) จาก Toshiba (SBD) ออกแบบมาสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม

ภาพของไดโอด Schottky Barrier ของ Toshiba TRSxxx65HToshiba SBD SiC ซีรีส์ TRSxxx65H สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมใช้ชิป SBD SiC รุ่นที่สามซึ่งเพิ่มประสิทธิภาพโครงสร้าง Schottky ของแบริเออร์จุดเชื่อมต่อ (JBS) อุปกรณ์เหล่านี้มีแรงดันไฟฟ้าเดินหน้าต่ำมากที่ 1.2 V (ทั่วไป) ซึ่งต่ำกว่า 1.45 V (ทั่วไป) ของรุ่นก่อนหน้าถึง 17% นอกจากนี้ยังช่วยปรับปรุงการแลกเปลี่ยนระหว่างแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าและประจุความจุรวมและระหว่างแรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าและกระแสย้อนกลับ ซึ่งจะช่วยลดการสูญเสียพลังงานและปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์ ผลิตภัณฑ์บรรจุในแพ็คเกจ TO-220-2L และบรรจุในแพ็คเกจ DFN8×8 จำนวน 5 ชิ้น

คุณสมบัติ
  • แรงดันไฟส่งต่ำ: VF = 1.2 V (ทั่วไป) (IF= IF(DC)
  • กระแสย้อนกลับต่ำ: TRS6E65H IR = 1.1 µA (ทั่วไป) (VR = 650 V)
  • ประจุไฟฟ้ารวมต่ำ: TRS6E65H QC = 17 nC (ทั่วไป) (VR= 400 V, f = 1 MHz)
การใช้งาน
  • การสลับแหล่งจ่ายไฟ
  • สถานีชาร์จ EV
  • อินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์

TRSxxx65H Schottky Barrier Diodes

รูปภาพManufacturer Part NumberคำอธิบายAvailable Quantityราคาดูรายละเอียด
DIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220LTRS2E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220L0 - Immediate$87.94ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220LTRS4E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L11 - Immediate$108.63ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220LTRS3E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220L0 - Immediate$98.61ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220LTRS6E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220L0 - Immediate$128.67ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220LTRS8E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L263 - Immediate$146.13ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEPTRS6V65H,LQDIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP4407 - Immediate$128.67ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220LTRS10E65H,S1QDIODE SIL CARB 650V 10A TO220L116 - Immediate$163.59ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEPTRS8V65H,LQDIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP4487 - Immediate$112.19ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220LTRS12E65H,S1QDIODE SIL CARB 650V 12A TO220L17 - Immediate$179.43ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEPTRS10V65H,LQDIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP3320 - Immediate$163.91ดูรายละเอียด
DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEPTRS12V65H,LQDIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP3817 - Immediate$179.75ดูรายละเอียด
Published: 2024-08-23

Related Product Highlight

1.6 kW LLC Resonant AC/DC Converter The Toshiba 1.6 kW LLC resonant AC/DC converter was developed for a variety of semiconductors to support applications like AC-DC converters for 48 V servers.
3 kW Power Supply Design for 48 V Server and Telecom Applications Toshiba SiC MOSFETs and low-voltage MOSFETs are designed to handle the challenges presented by modern server designs such as increased space density.
ข้อกำหนดและเงื่อนไข ประกาศความเป็นส่วน การตั้งค่าคุกกี้
ลิขสิทธิ์ © 1995-2026, DigiKey. สงวนลิขสิทธิ์
ECIA Member
This site is protected by VikingCloud's Trusted Commerce program
ECIA Member