Name: ZXMN3A01E6TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-ZXMN3A01E6TATR-ND
Price: 36.86 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 2.4A (Ta) 1.1W (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-6

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

ZXMN3A01E6TA
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	31-ZXMN3A01E6TATR-ND - เทปและม้วน (TR) 31-ZXMN3A01E6TACT-ND - เทปตัดขาย (CT) 31-ZXMN3A01E6TADKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	ZXMN3A01E6TA
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	40 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 2.4A (Ta) 1.1W (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-23-6
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 1V @ 250µA
Mfr Diodes Incorporated	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 190 pF @ 25 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 1.1W (Ta)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-23-6
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส SOT-23-6
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน ZXMN3

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (3)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
RSQ020N03TR	Rohm Semiconductor	1,343	RSQ020N03CT-ND	฿33.62000	Similar
RTQ020N03TR	Rohm Semiconductor	4,561	RTQ020N03CT-ND	฿29.10000	Similar
SI3442BDV-T1-E3	Vishay Siliconix	96	SI3442BDV-T1-E3CT-ND	฿30.71000	Similar