N-ช่องสัญญาณ 100 V 200A (Tc) 340W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263AB (D2PAK)
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

DI200N10D2

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
4878-DI200N10D2-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
DI200N10D2
คำอธิบาย
MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
8 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 100 V 200A (Tc) 340W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263AB (D2PAK)
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD
DI200N10D2 รุ่น
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า
หมวดหมู่
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250µA
Mfr
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
262 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์
จำนวนมาก
Vgs (สูงสุด)
±20V
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
16800 pF @ 50 V
ประเภท FET
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
340W (Tc)
เทคโนโลยี
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
100 V
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
TO-263AB (D2PAK)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
10V
บรรจุภัณฑ์ / เคส
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 120A, 10V
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์
แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม
ผลิตภัณฑ์ทดแทน (1)
หมายเลขผลิตภัณฑ์ผู้ผลิต จำนวนที่มีอยู่หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey ราคาต่อหน่วย ประเภทสินค้าทดแทน
DI200N10D2Diotec Semiconductor3464878-DI200N10D2-ND฿120.91000เทียบเท่าพาราเมตริก
ในสต็อก: 346
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
จำนวนมาก
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿120.91000฿120.91
10฿78.88500฿788.85
100฿55.00300฿5,500.30
800฿42.51678฿34,013.42
1,600฿39.60384฿63,366.14
2,400฿38.12030฿91,488.72
5,600฿36.43995฿204,063.72
แพ็กเกจมาตรฐานผู้ผลิต