Name: BSC031N06NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC031N06NS3GATMA1TR-ND
Price: 103.46 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSC031N06NS3GATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BSC031N06NS3GATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) BSC031N06NS3GATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) BSC031N06NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSC031N06NS3GATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSC031N06NS3GATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	การซื้อครั้งสุดท้าย
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	100A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 93µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	11000 pF @ 30 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 139W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TDSON-8-1
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSC031