Name: BSC042NE7NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND
Price: 108.95 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSC042NE7NS3GATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) BSC042NE7NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSC042NE7NS3GATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSC042NE7NS3GATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.8V @ 91µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 69 nC @ 10 V
ชุด OptiMOS™	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4800 pF @ 37.5 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 75 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TDSON-8-1
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 19A (Ta), 100A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน BSC042
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V