Name: BSC123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC123N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 67.41 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSC123N08NS3GATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BSC123N08NS3GATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) BSC123N08NS3GATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) BSC123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSC123N08NS3GATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	29 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSC123N08NS3GATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	80 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	11A (Ta), 55A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	6V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 33µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1870 pF @ 40 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 66W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TDSON-8-1
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSC123