Name: BSC12DN20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC12DN20NS3GATMA1TR-ND
Price: 57.87 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-5

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSC12DN20NS3GATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BSC12DN20NS3GATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) BSC12DN20NS3GATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) BSC12DN20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSC12DN20NS3GATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-5
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSC12DN20NS3GATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	11.3A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	125mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 25µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	680 pF @ 100 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	50W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TDSON-8-5
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSC12DN20