Name: BSL606SNH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSL606SNH6327XTSA1TR-ND
Price: 28.04 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 4.5A (Ta) 2W (Ta) ติดบนพื้นผิว PG-TSOP6-6

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSL606SNH6327XTSA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BSL606SNH6327XTSA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) BSL606SNH6327XTSA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) BSL606SNH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSL606SNH6327XTSA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	35 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 4.5A (Ta) 2W (Ta) ติดบนพื้นผิว PG-TSOP6-6
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSL606SNH6327XTSA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	4.5A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	60mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.3V @ 15µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	5.6 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	657 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TSOP6-6
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOT-23-6 บาง, TSOT-23-6
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSL606