Name: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1TR-ND
Price: 97.31 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 25 V 31A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TSDSON-8-FL

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSZ014NE2LS5IFATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-BSZ014NE2LS5IFATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSZ014NE2LS5IFATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 25 V 31A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TSDSON-8-FL
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSZ014NE2LS5IFATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2V @ 250µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 33 nC @ 10 V
ชุด OptiMOS™	Vgs (สูงสุด) ±16V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2300 pF @ 12 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	คุณสมบัติของ FET Schottky ไดโอด (บอดี้)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 25 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 31A (Ta), 40A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TSDSON-8-FL
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.45mOhm @ 20A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน BSZ014