Name: IAUZ30N10S5L240ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ30N10S5L240ATMA1TR-ND
Price: 37.05 THB
Availability: InStock

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IAUZ30N10S5L240ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IAUZ30N10S5L240ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IAUZ30N10S5L240ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IAUZ30N10S5L240ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IAUZ30N10S5L240ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	12 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 30A (Tc) 45.5W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TSDSON-8-32
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IAUZ30N10S5L240ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™ 5
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	30A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	24mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.2V @ 15µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	832 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	45.5W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TSDSON-8-32
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IAUZ30