IDH04G65C5XKSA1 Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	CoolSiC™+
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
เทคโนโลยี	SiC (Silicon Carbide) Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io)	4A
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If	1.7 V @ 4 A
ความเร็ว	ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io)
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr)	0 ns
กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	140 µA @ 650 V
ความจุไฟฟ้า @ Vr, F	130pF @ 1V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-2
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO220-2-2
อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน	-55°C ~ 175°C
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IDH04G65