Name: IMBF170R1K0M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R1K0M1XTMA1TR-ND
Price: 172.64 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 1700 V 5.2A (Tc) 68W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-13

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IMBF170R1K0M1XTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IMBF170R1K0M1XTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IMBF170R1K0M1XTMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IMBF170R1K0M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IMBF170R1K0M1XTMA1
คำอธิบาย	SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	45 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1700 V 5.2A (Tc) 68W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-13
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IMBF170R1K0M1XTMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5.7V @ 1.1mA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 5 nC @ 12 V
ชุด CoolSiC™	Vgs (สูงสุด) +20V, -10V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 275 pF @ 1000 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 68W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1700 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO263-7-13
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 12V, 15V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IMBF170
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1000mOhm @ 1A, 15V