IPAW60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

N-ช่องสัญญาณ 650 V 18A (Tc) 26W (Tc) ทรูโฮล PG-TO220 ชุดเต็ม

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPAW60R180P7SXKSA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPAW60R180P7SXKSA1-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPAW60R180P7SXKSA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 18A (Tc) 26W (Tc) ทรูโฮล PG-TO220 ชุดเต็ม
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPAW60R180P7SXKSA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	CoolMOS™ P7
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	18A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 280µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1081 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	26W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO220 ชุดเต็ม
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3 ชุดเต็ม
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPAW60