Name: IPB025N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB025N10N3GATMA1TR-ND
Price: 229.87 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPB025N10N3GATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPB025N10N3GATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPB025N10N3GATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPB025N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPB025N10N3GATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	17 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPB025N10N3GATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	180A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	6V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 275µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	14800 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	300W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO263-7
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-7, D2PAK (6 ตัวนำ + แท็บ)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPB025