IPB054N06N3GATMA1 ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

MFR ที่แนะนำ


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 3,077
ราคาต่อหน่วย : ฿71.45000
เอกสารข้อมูล

Similar


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 1,736
ราคาต่อหน่วย : ฿108.95000
เอกสารข้อมูล

Similar


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 2,011
ราคาต่อหน่วย : ฿83.73000
เอกสารข้อมูล

Direct


onsemi
มีอยู่ในสต็อค: 1,431
ราคาต่อหน่วย : ฿107.98000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 1,206
ราคาต่อหน่วย : ฿97.64000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 2,183
ราคาต่อหน่วย : ฿145.81000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 594
ราคาต่อหน่วย : ฿97.64000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 5,303
ราคาต่อหน่วย : ฿84.70000
เอกสารข้อมูล

Similar


onsemi
มีอยู่ในสต็อค: 2,520
ราคาต่อหน่วย : ฿140.96000
เอกสารข้อมูล

Similar


onsemi
มีอยู่ในสต็อค: 4,355
ราคาต่อหน่วย : ฿130.29000
เอกสารข้อมูล

Similar


IXYS
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿70.73267
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 2,632
ราคาต่อหน่วย : ฿92.46000
เอกสารข้อมูล

Similar


STMicroelectronics
มีอยู่ในสต็อค: 2,397
ราคาต่อหน่วย : ฿117.36000
เอกสารข้อมูล
N-ช่องสัญญาณ 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
N-ช่องสัญญาณ 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB054N06N3GATMA1

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
IPB054N06N3GATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR)
IPB054N06N3GATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT)
IPB054N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
IPB054N06N3GATMA1
คำอธิบาย
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD
IPB054N06N3GATMA1 รุ่น
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
เทปตัดขาย (CT)
Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์
เลิกผลิต
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 58µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
6600 pF @ 30 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
115W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
PG-TO263-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

เลิกผลิตแล้ว
สินค้านี้ไม่มีการผลิตแล้ว ดู สินค้าที่ใช้แทนกันได้