IPB083N10N3GATMA1 ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป
ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

MFR ที่แนะนำ


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 38
ราคาต่อหน่วย : ฿70.48000
เอกสารข้อมูล

Similar


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 1,835
ราคาต่อหน่วย : ฿105.72000
เอกสารข้อมูล

Similar


Infineon Technologies
มีอยู่ในสต็อค: 11,253
ราคาต่อหน่วย : ฿91.17000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 6,564
ราคาต่อหน่วย : ฿120.27000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿34.19302
เอกสารข้อมูล

Similar


onsemi
มีอยู่ในสต็อค: 50
ราคาต่อหน่วย : ฿133.52000
เอกสารข้อมูล

Similar


IXYS
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿79.25270
เอกสารข้อมูล

Similar


IXYS
มีอยู่ในสต็อค: 983
ราคาต่อหน่วย : ฿204.65000
เอกสารข้อมูล

Similar


IXYS
มีอยู่ในสต็อค: 53
ราคาต่อหน่วย : ฿181.69000
เอกสารข้อมูล

Similar


IXYS
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿76.71909
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 0
ราคาต่อหน่วย : ฿107.34000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 3,800
ราคาต่อหน่วย : ฿81.79000
เอกสารข้อมูล

Similar


Nexperia USA Inc.
มีอยู่ในสต็อค: 5,321
ราคาต่อหน่วย : ฿99.58000
เอกสารข้อมูล

Similar


STMicroelectronics
มีอยู่ในสต็อค: 639
ราคาต่อหน่วย : ฿98.61000
เอกสารข้อมูล
N-ช่องสัญญาณ 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
N-ช่องสัญญาณ 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB083N10N3GATMA1

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
IPB083N10N3GATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR)
IPB083N10N3GATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT)
IPB083N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
IPB083N10N3GATMA1
คำอธิบาย
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD
IPB083N10N3GATMA1 รุ่น
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
เทปตัดขาย (CT)
Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์
เลิกผลิต
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
6V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
3.5V @ 75µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3980 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
PG-TO263-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

เลิกผลิตแล้ว
สินค้านี้ไม่มีการผลิตแล้ว ดู สินค้าที่ใช้แทนกันได้