IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IPB144N12N3GATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPB144N12N3GATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPB144N12N3GATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPB144N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPB144N12N3GATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 120 V 56A (Ta) 107W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPB144N12N3GATMA1 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	120 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	56A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	14.4mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 61µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3220 pF @ 60 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	107W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO263-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPB144