Name: IPD031N03LGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD031N03LGATMA1TR-ND
Price: 55.76 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 90A (Tc) 94W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3-11

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPD031N03LGATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPD031N03LGATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPD031N03LGATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPD031N03LGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPD031N03LGATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 90A (Tc) 94W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3-11
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPD031N03LGATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	90A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.2V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	5300 pF @ 15 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	94W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO252-3-11
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPD031