Name: IPD60R145CFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60R145CFD7ATMA1TR-ND
Price: 121.88 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 600 V 16A (Tc) 83W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252AA (DPAK)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPD60R145CFD7ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPD60R145CFD7ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPD60R145CFD7ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPD60R145CFD7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPD60R145CFD7ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N CH
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 16A (Tc) 83W (Tc) ติดบนพื้นผิว
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPD60R145CFD7ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	CoolMOS™ CFD7
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	600 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	16A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	145mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.5V @ 340µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1330 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	83W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-252AA (DPAK)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPD60R