IPD60R460CEAUMA1 Infineon Technologies | FET เดี่ยว, MOSFET

IPD60R460CEAUMA1 ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar

IPD60R360P7SAUMA1

Infineon Technologies

มีอยู่ในสต็อค: 1,844

ราคาต่อหน่วย : ฿44.62000

เอกสารข้อมูล

Similar

STD10NM60ND

STMicroelectronics

มีอยู่ในสต็อค: 1,380

ราคาต่อหน่วย : ฿93.11000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

N-ช่องสัญญาณ 600 V 13.1A (Tj) 74W ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3-344

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPD60R460CEAUMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPD60R460CEAUMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPD60R460CEAUMA1
คำอธิบาย	CONSUMER
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 13.1A (Tj) 74W ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3-344
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.5V @ 280µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 28 nC @ 10 V
ชุด CoolMOS™ CE	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR)	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 620 pF @ 100 V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 74W
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -40°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 600 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO252-3-344
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 13.1A (Tj)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPD60R
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 460mOhm @ 3.4A, 10V