IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies | FET เดี่ยว, MOSFET

IPD70R950CEAUMA1 ตกรุ่นและไม่มีการผลิตอีกต่อไป

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

Similar

IPD70R900P7SAUMA1

Infineon Technologies

มีอยู่ในสต็อค: 4,085

ราคาต่อหน่วย : ฿33.95000

เอกสารข้อมูล

Similar

STD8N80K5

STMicroelectronics

มีอยู่ในสต็อค: 3,676

ราคาต่อหน่วย : ฿105.72000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

N-ช่องสัญญาณ 700 V 7.4A (Tc) 68W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPD70R950CEAUMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPD70R950CEAUMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPD70R950CEAUMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 700 V 7.4A (Tc) 68W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.5V @ 150µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 15.3 nC @ 10 V
ชุด CoolMOS™ CE	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR)	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 328 pF @ 100 V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 68W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -40°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 700 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO252-3
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 7.4A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPD70
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.5A, 10V