Name: IPG20N10S4L35AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND
Price: 68.54 THB
Availability: InStock

mosfet อาร์เรย์ 100V 20A 43W ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ PG-TDSON-8-10

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPG20N10S4L35AATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPG20N10S4L35AATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPG20N10S4L35AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPG20N10S4L35AATMA1
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	35 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 100V 20A 43W ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้ PG-TDSON-8-10
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPG20N10S4L35AATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.1V @ 16µA
ผู้ผลิต Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 17.4nC @ 10V
ชุด OptiMOS™	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1105pF @ 25V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	พลังงาน - สูงสุด 43W
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
การตั้งค่า 2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)	คุณสมบัติ AEC-Q101
คุณสมบัติของ FET เกทระดับลอจิก	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว, เปียกที่ขอบด้านข้างได้
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerVDFN
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 20A	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TDSON-8-10
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 35mOhm @ 17A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPG20N