Name: IPT029N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT029N08N5ATMA1TR-ND
Price: 158.42 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPT029N08N5ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IPT029N08N5ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IPT029N08N5ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IPT029N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPT029N08N5ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPT029N08N5ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.8V @ 108µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 87 nC @ 10 V
ชุด OptiMOS™ 5	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 6500 pF @ 40 V
สถานะผลิตภัณฑ์ การซื้อครั้งสุดท้าย	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 168W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 80 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-HSOF-8-1
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 52A (Ta), 169A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerSFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 6V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPT029
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 150A, 10V