IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IPTG111N20NM3FDATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPTG111N20NM3FDATMA1
คำอธิบาย	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 200 V 10.8A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOG-8-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPTG111N20NM3FDATMA1 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™ 3
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	10.8A (Ta), 108A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	11.1mOhm @ 96A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 267µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	7000 pF @ 100 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.8W (Ta), 375W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-HSOG-8-1
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerSMD, Gull Wing
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPTG111N