Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 154.86 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-WHSON-8-U02

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IQDH29NE2LM5SCATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IQDH29NE2LM5SCATMA1
คำอธิบาย	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-WHSON-8-U02
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IQDH29NE2LM5SCATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 0.29mOhm @ 50A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2V @ 1.448mA
ชุด OptiMOS™ 5	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±16V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 17000 pF @ 12 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.5W (Ta), 278W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 25 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 75A (Ta), 789A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-WHSON-8-U02
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerWDFN