Name: IQDH29NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 100.55 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TTFN-9-U02

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IQDH29NE2LM5CGATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IQDH29NE2LM5CGATMA1
คำอธิบาย	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	29 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TTFN-9-U02
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IQDH29NE2LM5CGATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2V @ 1.448mA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 254 nC @ 10 V
ชุด OptiMOS™ 5	Vgs (สูงสุด) ±16V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 17000 pF @ 12 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.5W (Ta), 278W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 25 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TTFN-9-U02
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 75A (Ta), 789A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 9-PowerTDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IQDH29
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 0.29mOhm @ 50A, 10V