Name: IQE004NE1LM7CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND
Price: 89.23 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TTFN-9-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IQE004NE1LM7CGATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IQE004NE1LM7CGATMA1
คำอธิบาย	TRENCH <= 40V
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	29 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TTFN-9-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IQE004NE1LM7CGATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™ 7
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	15 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	58A (Ta), 379A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 7V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	0.45mOhm @ 30A, 7V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 432µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	55 nC @ 7 V
Vgs (สูงสุด)	±7V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	6240 pF @ 7.5 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.1W (Ta), 89W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TTFN-9-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	9-PowerTDFN