IRF300P227 Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IRF300P227
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRF300P227-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRF300P227
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 300 V 50A (Tc) 313W (Tc) ทรูโฮล PG-TO247-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRF300P227 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	StrongIRFET™
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	300 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	50A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	40mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 270µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	107 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	4893 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	313W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO247-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRF300