Name: IRF7749L1TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7749L1TRPBFTR-ND
Price: 229.22 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 33A (Ta), 200A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว DirectFET™ ไอโซเมตริก L8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRF7749L1TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRF7749L1TRPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRF7749L1TRPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRF7749L1TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRF7749L1TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	23 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 33A (Ta), 200A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว DirectFET™ ไอโซเมตริก L8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRF7749L1TRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 300 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 12320 pF @ 25 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 33A (Ta), 200A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DirectFET™ ไอโซเมตริก L8
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส DirectFET™ ไอโซเมตริก L8
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 120A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IRF7749