IRF9389TRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET อาเรย์

mosfet อาร์เรย์ 30V 6.8A, 4.6A 2W ติดบนพื้นผิว 8-SO

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRF9389TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRF9389TRPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRF9389TRPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRF9389TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRF9389TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 30V 6.8A, 4.6A 2W ติดบนพื้นผิว 8-SO
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRF9389TRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
การตั้งค่า	N และ P-ช่องสัญญาณ
คุณสมบัติของ FET	เกทระดับลอจิก
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	6.8A, 4.6A
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.3V @ 10µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	14nC @ 10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	398pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด	2W
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SO
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRF9389