Name: IRFH5015TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5015TRPBFTR-ND
Price: 71.45 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 150 V 10A (Ta), 56A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PQFN (5x6)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRFH5015TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRFH5015TRPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRFH5015TRPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRFH5015TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRFH5015TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 150 V 10A (Ta), 56A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PQFN (5x6)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRFH5015TRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5V @ 150µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 50 nC @ 10 V
ชุด HEXFET®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2300 pF @ 50 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 150 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-PQFN (5x6)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 10A (Ta), 56A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IRFH5015
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 31mOhm @ 34A, 10V