Name: IRFH6200TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH6200TRPBFTR-ND
Price: 76.05 THB
Availability: InStock

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRFH6200TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRFH6200TRPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRFH6200TRPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRFH6200TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRFH6200TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	13 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-PQFN (5x6)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRFH6200TRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	49A (Ta), 100A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	2.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.1V @ 150µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	230 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±12V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	10890 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-PQFN (5x6)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerVDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRFH6200