IRFL024NTRPBF Infineon Technologies | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 55 V 2.8A (Ta) 1W (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-223

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRFL024NTRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRFL024NTRPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRFL024NTRPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRFL024NTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRFL024NTRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 55 V 2.8A (Ta) 1W (Ta) ติดบนพื้นผิว SOT-223
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRFL024NTRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 18.3 nC @ 10 V
ชุด HEXFET®	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 400 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 1W (Ta)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 55 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ SOT-223
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 2.8A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-261-4, TO-261AA
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IRFL024
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 75mOhm @ 2.8A, 10V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (3)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
IRFL024ZTRPBF	Infineon Technologies	57,504	IRFL024ZTRPBFCT-ND	฿36.86000	MFR ที่แนะนำ
STN3NF06	STMicroelectronics	382	497-4764-1-ND	฿28.45000	Similar
STN3NF06L	STMicroelectronics	14,310	497-3177-1-ND	฿55.28000	Similar