Name: IRL7472L1TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL7472L1TRPBFTR-ND
Price: 176.2 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 40 V 375A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) ติดบนพื้นผิว DirectFET™ ไอโซเมตริก L8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRL7472L1TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRL7472L1TRPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRL7472L1TRPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRL7472L1TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRL7472L1TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	22 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 375A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) ติดบนพื้นผิว DirectFET™ ไอโซเมตริก L8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRL7472L1TRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	StrongIRFET™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	375A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	0.59mOhm @ 195A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	330 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	20082 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3.8W (Ta), 341W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DirectFET™ ไอโซเมตริก L8
บรรจุภัณฑ์ / เคส	DirectFET™ ไอโซเมตริก L8
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRL7472