Name: IRL80HS120
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL80HS120TR-ND
Price: 29.58 THB
Availability: InStock

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRL80HS120
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRL80HS120TR-ND - เทปและม้วน (TR) IRL80HS120CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRL80HS120DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRL80HS120
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 12.5A (Tc) 11.5W (Tc) ติดบนพื้นผิว 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRL80HS120 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	80 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	12.5A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	32mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 10µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	7 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	540 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	11.5W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	6-PQFN (2x2) (DFN2020)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	6-PowerVDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRL80HS120