Name: IRLML0060TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLML0060TRPBFTR-ND
Price: 16.9 THB
Availability: InStock

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRLML0060TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRLML0060TRPBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRLML0060TRPBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRLML0060TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRLML0060TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 2.7A (Ta) 1.25W (Ta) ติดบนพื้นผิว Micro3™/SOT-23
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRLML0060TRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	2.7A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	92mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 25µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±16V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	290 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1.25W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	Micro3™/SOT-23
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IRLML0060