IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 20 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) ติดบนพื้นผิว Micro6™(SOT23-6)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRLMS2002TRPBF
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IRLMS2002PBFTR-ND - เทปและม้วน (TR) IRLMS2002PBFCT-ND - เทปตัดขาย (CT) IRLMS2002PBFDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRLMS2002TRPBF
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) ติดบนพื้นผิว Micro6™(SOT23-6)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IRLMS2002TRPBF รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 1.2V @ 250µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 22 nC @ 5 V
ชุด HEXFET®	Vgs (สูงสุด) ±12V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1310 pF @ 15 V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2W (Ta)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 20 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ Micro6™(SOT23-6)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ / เคส SOT-23-6
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 2.5V, 4.5V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IRLMS2002
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (3)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
DMG6402LVT-7	Diodes Incorporated	282	DMG6402LVT-7DICT-ND	฿15.52000	Similar
RUQ050N02TR	Rohm Semiconductor	2,782	RUQ050N02CT-ND	฿38.80000	Similar
STT5N2VH5	STMicroelectronics	10,626	497-STT5N2VH5CT-ND	฿28.13000	Similar