Name: ISZ0602NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ0602NLSATMA1TR-ND
Price: 66.28 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 12A (Ta), 64A (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TSDSON-8-26

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

ISZ0602NLSATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-ISZ0602NLSATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-ISZ0602NLSATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-ISZ0602NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	ISZ0602NLSATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 12A (Ta), 64A (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TSDSON-8-26
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	ISZ0602NLSATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.3V @ 29µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 29 nC @ 10 V
ชุด OptiMOS™ 5	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1860 pF @ 40 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.1W (Ta), 60W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 80 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TSDSON-8-26
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 12A (Ta), 64A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน ISZ0602N
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 20A, 10V